
化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(冷壁CVD)
冷壁CVD 生長(zhǎng)設(shè)備是對(duì)現(xiàn)有石英管式爐CVD 生長(zhǎng)設(shè)備功耗大、控制性差、產(chǎn)量低等缺點(diǎn)開發(fā)出來(lái)的一款新型CVD 生長(zhǎng)設(shè)備。該設(shè)備不僅可以用于石墨烯生長(zhǎng),還可用于六角氮化硼等二維材料薄膜、MBE 薄膜及復(fù)合薄膜生長(zhǎng)。
1.背景氣壓低,雜質(zhì)氣體干擾少。
2. 參數(shù)控制性好,實(shí)驗(yàn)重現(xiàn)性高。
3. 可擴(kuò)展性強(qiáng),可以定制原位金屬電極
蒸鍍參雜等功能。
4. 能耗低,產(chǎn)量高,適用于工業(yè)化生產(chǎn)
(大型冷壁CVD)。
技術(shù)參數(shù):